Tin tức
Hotline: (84 04) 382 49874      
Hỗ trợ online: Chát với hỗ trợ Online - Yahoo Chát với hỗ trợ Online - Skype  Liên Hệ  Tiếng Anh
http://techmartvietnam.vn/Portals/_default/Skins/NVPortal/Images/xuctien.jpg
http://techmartvietnam.vn/Portals/_default/Skins/NVPortal/Images/xuctien.jpg

Thiết bị nhỏ tăng tốc bộ nhớ và tiết kiệm năng lượng 3:20 PM,2/18/2019

Trong bối cảnh ngày càng nhiều đồ vật thông minh được tạo ra, từ đồng hồ đến toàn bộ tòa nhà, thì nhu cầu về các thiết bị lưu trữ và truy xuất khối lượng dữ liệu khổng lồ một cách nhanh chóng mà không tiêu tốn quá nhiều năng lượng lại càng lớn.


Hàng triệu ô nhớ mới có thể là một phần của chip máy tính, cung cấp tốc độ ghi nhớ đó và tiết kiệm năng lượng, nhờ vào việc phát hiện ra chức năng chưa được phát hiện trước đây trong một vật liệu có tên là molybdenum ditelluride.

Vật liệu hai chiều xếp thành nhiều lớp để tạo nên một ô nhớ. Các nhà nghiên cứu tại trường Đại học Purdue đã hợp tác với Viện Tiêu chuẩn và Công nghệ quốc gia (NIST) và Công ty Nghiên cứu Theiss để thiết kế thiết bị này. Nghiên cứu đã được công bố trên tạp chí trực tuyến Nature Materials.

Các công ty sản xuất chip từ lâu đã tìm kiếm các công nghệ bộ nhớ tốt hơn để đáp ứng nhu cầu của một mạng lưới các thiết bị thông minh đang phát triển. Một trong những khả năng tiếp theo là bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên hay RRAM.

Trong RRAM, dòng điện thường được dẫn qua ô nhớ được tạo thành từ nhiều vật liệu xếp chồng lên nhau, làm thay đổi điện trở ghi lại dữ liệu dưới dạng 0 và 1 trong bộ nhớ. Chuỗi 0 và 1 trong các ô nhớ xác định những mẩu thông tin mà máy tính đọc để thực hiện chức năng và sau đó được lưu thêm một lần nữa vào bộ nhớ.

Một vật liệu sẽ cần đủ mạnh để lưu trữ và truy xuất dữ liệu ít nhất hàng nghìn tỷ lần, nhưng các vật liệu hiện đang được sử dụng chưa thực sự đáng tin cậy. Ngoài ra, RRAM chưa sẵn có để được sử dụng rộng rãi trên chip máy tính. Molybdenum ditelluride có khả năng tồn tại qua tất cả các chu kỳ đó.

Molybdenum ditelluride cho phép hệ thống chuyển đổi nhanh hơn giữa trạng thái 0 và 1, có khả năng làm tăng tốc độ lưu trữ và truy xuất thông tin. Nguyên nhân là do khi điện trường xuất hiện trong ô nhớ, các nguyên tử dịch chuyển khoảng cách rất nhỏ, dẫn đến trạng thái điện trở cao được ghi là 0 hoặc trạng thái điện trở thấp được ghi là 1, diễn ra nhanh hơn nhiều quá trình chuyển đổi trong các thiết bị RRAM thông thường.

"Do cần ít năng lượng để các trạng thái điện trở này thay đổi, nên pin có thể tồn tại lâu hơn", Joerg Appenzeller, đồng tác giả nghiên cứu nói.

Nhóm nghiên cứu đã xin cấp sáng chế cho công nghệ mới.
Nguồn: vista.gov.vn


Send Print  Back
The news brought
Graphene và các vật liệu 2D khác giúp tạo ra các pin mặt trời tiên tiến 2/18/2019
Pháp ưu tiên phát triển điện gió và năng lượng Mặt trời 12/5/2018
Chế tạo phân tử lưu trữ năng lượng Mặt trời 12/4/2018
Băng siêu dẫn có thể giúp tạo ra năng lượng gió với chi phí thấp hơn 11/29/2018
Việt Nam nghiên cứu pin tích trữ điện trong thời gian dài 11/23/2018
Nhật sản xuất pin thể rắn 11/23/2018
Nghiên cứu năng lượng nhiệt hạch 11/23/2018
Màng trong suốt loại bỏ 70% nhiệt mặt trời đi đến 11/23/2018
Loại pin mới đính trên quần áo cấp điện cho thiết bị đeo tay 11/16/2018
Thừa Thiên - Huế ưu tiên phát triển điện mặt trời 11/8/2018
Năng lượng mặt trời sẽ được đóng chai trong 10 năm tới 11/8/2018
Siêu nhà máy điện giữa sa mạc Sahara 11/6/2018
Tạo năng lượng mặt trời từ công nghệ tách phân tử nước 11/6/2018
Chế tạo than sinh học không phát thải CO2 từ nước thải 11/6/2018
Vật liệu mới, quy trình sản xuất sử dụng nhiệt của mặt trời cho điện tái tạo rẻ hơn 11/6/2018













Trang chủ   |    CN/TB chào bán   |    CN/TB tìm mua   |    Tin tức   |    Giới thiệu   |    Liên hệ Register   |    Login   
Số lượt truy cập: 74927294 Bản quyền thuộc Cục Thông tin Khoa học và Công nghệ Quốc gia.
Địa chỉ trụ sở chính: 24 Lý Thường Kiệt - Quận Hoàn Kiếm - Hà Nội.
Tel: (84-04) 38249874 - 39342945 | Fax: (08-04) 38249874 | Email: techmart@vista.gov.vn